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　　據國(guo)外媒體報道(dao)，三星電(dian)子2020年開始(shi)(shi)在韓國(guo)平澤市建設(she)的(de)P3晶圓廠，將在下(xia)月(yue)開始(shi)(shi)設(she)備(bei)的(de)安裝，計劃在今(jin)年下(xia)半年建成。

　　三星(xing)平(ping)澤P3晶圓(yuan)廠下(xia)月開始設備(bei)的(de)(de)安裝(zhuang)，是(shi)韓國媒體率先援引消(xiao)息(xi)人士的(de)(de)透露(lu)報道的(de)(de)，設備(bei)的(de)(de)進入及安裝(zhuang)將持續到7月份(fen)，較最初計劃(hua)的(de)(de)時間將提前1個(ge)月。

　　三(san)星(xing)電(dian)子在平澤建設的(de)(de)P3工(gong)廠，占地70萬(wan)平方(fang)米，將成為全球園區最(zui)(zui)大的(de)(de)晶圓廠，是三(san)星(xing)電(dian)子P2工(gong)廠的(de)(de)1.7倍。當然，工(gong)廠的(de)(de)投資也會相當龐大，他們計劃(hua)未(wei)來幾(ji)年最(zui)(zui)少投資30萬(wan)億(yi)(yi)(yi)元，最(zui)(zui)多(duo)則投資50萬(wan)億(yi)(yi)(yi)韓元，也就是至少投資240億(yi)(yi)(yi)美元，最(zui)(zui)高投資400億(yi)(yi)(yi)美元。

　　從外(wai)媒的報道來看，三星電子平澤(ze)P3晶(jing)圓廠，規劃的是(shi)一座既生(sheng)產(chan)存儲(chu)芯片(pian)，又生(sheng)產(chan)邏(luo)輯芯片(pian)的工(gong)廠，率先投產(chan)的是(shi)NAND閃存，隨后是(shi)DRAM，隨后是(shi)采用3nm工(gong)藝為其他廠商代工(gong)晶(jing)圓的生(sheng)產(chan)線(xian)。